- Tecnologia Samsung V-NAND
- Velocidade de leitura até 3500 MB/s e escrita até 3300 MB/s
- 1 TB de capacidade
SKU
MZ-V7S1T0BW
EAN | 8801643628086 |
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Garantia | 2 |
Capacidade | 1TB |
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Dimensões | 80.15 x 22.15 x 2.38 mm |
Interface | PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3 |
Form factor | M.2 (2280) |
NAND flash memory | V-NAND 3-bit MLC |
Velocidade de Leitura Sequencial | Até 3500 Mb/s |
Velocidade de Escrita Sequencial | Até 3300 Mb/s |
Leitura Aleatória 4kb (QD32) | Até 600000 IOPS |
Escrita Aleatória 4kb (QD32) | Até 550000 IOPS |
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